Plik:MOSFET.svg

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, szukaj
MOSFET.svg(Plik SVG, nominalnie 525 × 300 pikseli, rozmiar pliku: 14 KB)
Opis
Polski: Tranzystor polowy z izolowaną bramką.
English: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Español: Transistor MOSFET de enriquecimiento canal P.
Data 20 sierpnia 2006(2006-08-20)
Źródło own work created in Inkscape, based on w:pl:user:Wojciech mula's graphics.
Autor MesserWoland
Licencja
(Ponowne użycie tego pliku)
Ja, właściciel praw autorskich do tego dzieła, udostępniam je na poniższych licencjach
GNU head Udziela się zgody na kopiowanie, rozpowszechnianie oraz modyfikowanie tego dokumentu zgodnie z warunkami GNU Licencji Wolnej Dokumentacji, w wersji 1.2 lub nowszej opublikowanej przez Free Software Foundation; bez niezmiennych sekcji, bez treści umieszczonych na frontowej lub tylnej stronie okładki. Kopia licencji załączona jest w sekcji zatytułowanej GNU Licencja Wolnej Dokumentacji.

w:pl:Creative Commons
uznanie autorstwa na tych samych warunkach
Ten plik udostępniony jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 3.0.
Wolno:
  • dzielić się – kopiować, rozpowszechniać, odtwarzać i wykonywać utwór
  • modyfikować – tworzyć utwory zależne
Na następujących warunkach:
  • uznanie autorstwa – Utwór należy oznaczyć w sposób określony przez Twórcę lub Licencjodawcę.
  • na tych samych warunkach – Jeśli zmienia się lub przekształca niniejszy utwór, lub tworzy inny na jego podstawie, można rozpowszechniać powstały w ten sposób nowy utwór tylko na podstawie takiej samej licencji.
Ten szablon został dodany jako element zmiany licencjonowania.

w:pl:Creative Commons
uznanie autorstwa na tych samych warunkach
Ten plik jest udostępniany na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – na tych samych warunkach 2.5 zlokalizowana, 2.0 zlokalizowana oraz 1.0 zlokalizowana.
Wolno:
  • dzielić się – kopiować, rozpowszechniać, odtwarzać i wykonywać utwór
  • modyfikować – tworzyć utwory zależne
Na następujących warunkach:
  • uznanie autorstwa – Utwór należy oznaczyć w sposób określony przez Twórcę lub Licencjodawcę.
  • na tych samych warunkach – Jeśli zmienia się lub przekształca niniejszy utwór, lub tworzy inny na jego podstawie, można rozpowszechniać powstały w ten sposób nowy utwór tylko na podstawie takiej samej licencji.

Możesz wybrać, którą licencję chcesz zastosować.

Historia pliku

Kliknij na datę/czas, aby zobaczyć, jak plik wyglądał w tym czasie.

Data i czasMiniaturaWymiaryUżytkownikOpis
aktualny00:27, 31 maj 2012Miniatura wersji z 00:27, 31 maj 2012525 × 300 (14 KB)Jakubtrzmieniona długość elektrod (ze ZB, sprawdzone w ''CMOS Integrated Circuits (B-series)'', 1976, s. 8 rys. 1)
21:00, 20 sie 2006Miniatura wersji z 21:00, 20 sie 2006525 × 300 (14 KB)MesserWoland{{Information |Description={{polish}} Tranzystor polowy z izolowaną bramką.<br>{{english}} Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |Source=own work created in Inkscape, based on w:pl:user:Wojciech mula's graphics. |Date=20.08.2006 |Author=

Poniższa strona odwołuje się do tego pliku:

Globalne wykorzystanie pliku

Ten plik jest wykorzystywany także w innych projektach wiki:

Metadane

Osobiste
Przestrzenie nazw

Warianty
Widok
Działania
Nawigacja
Dla czytelników
Dla wikipedystów
Narzędzia

Polecamy: Pozycjonowanie, wózki dziecięce, Kino domowe, Viagra, Kredyty